集成电容式传感器的理论模型研究

• 作者: 柯导明 王阳 郑长勇 陈军宁
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电容式传感器 CMOS工艺 梳状电极 保角变换
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 1995-1999
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2008.12.009

摘要

研究一种与CMOS工艺兼容的梳状电极结构电容式传感器,对其敏感电容的变化量进行理论推导,建立了一种简单的解析模型,并使用Ansys软件仿真验证.利用该解析模型能够直观的分析各种参数变化对敏感电容变化量的影响,对芯片设计、制作及测试等具有参考意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳	安徽大学电子科学与技术学院	20	58	5.0	6.0
3	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
4	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
7	郑长勇	安徽大学电子科学与技术学院	4	38	3.0	4.0