GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光

• 作者: 吕英波 宋淑梅 王爱芳 郑卫民 陶琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子限制效应 δ-掺杂 GaAs/AlAs多量子阱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 第八届全国发光学学术会议研究论文
• 页码范围: 156-160
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31|TN304.23
• 字数: 3292字
• 语种: 中文

摘要

从实验和理论上,研究了量子限制效应对GaAa/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度为3～20 nm,并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂.在4,20,40,80,120 K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱测量,观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现,理论计算和实验结果符合地较好.