超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

• 作者: 杨德仁 汪雷 陈雄飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫化铟 快速热处理 超声喷雾法
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1069-1072
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2515字
• 语种: 中文

摘要

采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25～2.38 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	陈雄飞	浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室	1	9	1.0	1.0
3	汪雷	浙江大学材料科学与化学工程系硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0