Sb在Al-Si合金中的变质行为

• 作者: 孙国雄 廖恒成 董光明 韩正同
• 来源期刊: 铸造
• 学科: 工学
• 关键词: 锑 Al-Si合金 变质
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 211-214
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 3139字
• 语种: 中文

摘要

Sb的变质机理可分为影响形核理论与限制生长理论.影响形核理论又分为增加形核核心及减少形核核心二种假说.限制生长理论包括Sb降低Si竺散能力假说、共晶Si被共晶Al超越假说、Alsb分子的吸附阻碍共晶Si生长假说、Sb质点阻碍共晶Si生长假说、Sb在固液界面富集假说、Sb吸附在共晶Si的表面阻碍共晶Si生长生长假说等.Sb变质的Al-Si合金共晶反应倾向于以体积凝固的方式进行.AlSb及Mg3Sb2是共晶形核的可能核心.Sb会降低Al-Si合金的共晶反应度.纯Sb变质有50min孕育期.Mg对Sb的变质有干扰作用.Sb的含量较高时会出现过变质现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙国雄	东南大学材料科学与工程学院	125	1546	22.0	31.0
2	董光明	东南大学材料科学与工程学院	16	90	5.0	9.0
4	廖恒成	东南大学材料科学与工程学院	48	677	16.0	24.0
7	韩正同	中国矿业大学机电工程学院	1	16	1.0	1.0