氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

• 作者: 刘瑞贤 吴爱民 姜辛 宋世巍 徐茵 王文彦 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ECR-PEMOCVD GaN 低温沉积 玻璃衬底
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2376-2380
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.017

摘要

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度C轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样晶进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结品性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光敏发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.