MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

• 作者: 余永林 张瑞康 张靖 江山 王定理 董雷 陈磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 对接生长 波导
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1177-1179
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.030

摘要

采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊		3	12	1.0	3.0
2	张靖		4	12	1.0	3.0
3	张瑞康		4	13	1.0	3.0
4	江山		15	47	3.0	6.0
5	王定理		7	40	4.0	6.0
7	董雷		2	2	1.0	1.0
11	余永林	华中科学技术大学武汉国家光电实验室	1	1	1.0	1.0