一种基于单电子隧穿结和MOS晶体管的混合随机数发生器

• 作者: 吴南健 张万成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 随机数发生器 单电子电路 多隧穿结 振荡器
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 693-700
• 页数: 8页
• 分类号: TN389
• 字数: 849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.016

摘要

提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成.MTJ被用于实现一个高频率的振荡器.它利用了电子隧穿的物理随机性得到了很大的振荡频率漂移.SET/MOS管输出电路放大并输出MTJ振荡器的输出信号.该信号经过一个低频信号采样后,产生随机数序列.所提出的随机数发生器使用简单的电路结构产生了高质量的随机数序列.它具有简单的结构,输出随机数的速度可以高达1GHz.同时,该电路还具有带负载能力以及很低的功耗.这种新颖的随机数发生器对未来的密码和通讯系统具有一定的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴南健	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	30	136	8.0	10.0
2	张万成	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	4	15	2.0	3.0