钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理

• 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王悦湖 王超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 半绝缘 钒掺杂 补偿 钒受主能级
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 206-209
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.003

摘要

研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性的SiC材料.借助电子顺磁共振和吸收光谱分析,发现SiC中同时存在中性钒(V4+)和受主态钒(V3+)的电荷态,表明掺入的部分杂质钒通过补偿浅施主杂质氮,形成受主态钒,这与二次离子质谱分析结果相吻合.通过对样品进行吸收光谱和低温光致发光测量,发现钒受主能级在6H-SiC中位于导带下0.62eV处.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	424	12.0	19.0
4	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	10	20	2.0	4.0
5	徐大庆	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0