Ag掺杂p型ZnO薄膜及其同质结的光电性质

• 作者: 傅竹西 孙利杰 张伟英 林碧霞 王筝 钟声
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ag掺杂氧化锌 低温PL谱 施主-受主对 同质结
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 304-308
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2344字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相.未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10 K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315 eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn.计算得到受主能级离价带顶约110 meV.霍尔效应测得电阻率约0.1 Ω·cm,迁移率约36 cm2/V·s,空穴浓度约1.7×1018 cm-3.在此基础上制备了ZnO:Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小.所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
3	钟声	中国科学技术大学物理系	20	117	6.0	9.0
4	张伟英	中国科学技术大学物理系	5	29	3.0	5.0
5	王筝	中国科学技术大学物理系	3	38	3.0	3.0
6	孙利杰	中国科学技术大学物理系	8	42	4.0	6.0