适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取

• 作者: 任铮 胡少坚 赵宇航
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF MOSFET射频 PSP模型 衬底电阻
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 737-740
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.023

摘要

通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器件的输出性能,模型精度确保使用频率可以达到20GHz以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任铮		7	19	3.0	4.0
2	胡少坚		12	22	3.0	4.0
3	赵宇航		14	18	3.0	4.0