纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响

• 作者: 施利毅 李红蕊 王艳珍 钟庆东
• 来源期刊: 中国粉体工业
• 学科: 工学
• 关键词: 电位-电容法 Mott-Schottky分析 纳米 二氧化钛 RTV涂膜 半导体转变 N型 P型
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 5-10
• 页数: 6页
• 分类号: TQ134.11

摘要

本文研究目的是了解纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响规律。本文采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术,研究了纳米二氧化钛对RTV涂膜在5%硫酸钠溶液中的导电行为影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体,RTV涂膜Csc减小,其涂膜空间电荷层厚度增加。随着浸泡时间的延长,涂膜空间电荷电容Csc逐渐增加,表明涂膜中空间电荷层厚度随浸泡时间延长有逐渐减小趋势。添加纳米二氧化钛粉体,可促进RTV涂膜的导电行为由n型半导体导电特征转变为p型半导体导电特征,在添加量达2%时,转变为绝缘态。提出了RTV涂膜失效的半导体转变模型,纳米二氧化钛的作用正好与之相反。