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摘要:
室温300 K下,由于AlxGa1-xN 的带隙宽度可以从GaN的3.42 eV到 AlN 的6.2 eV之间变化,所以AlxGa1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分AlxGa1-xN材料生长的一大困难就是AlxGa1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的AlxGa1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少AlxGa1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上AlxGa1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,AlxGa1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.AlxGa1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4 nm/4 nm,5 nm/5 nm,8 nm/8 nm的GaN/Al0.3Ga0.7N 超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加AlxGa1-xN外延薄膜缺陷密度降低,AlxGa1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5 nm/5 nm GaN/Al0.3Ga0.7N 超晶格插入层AlxGa1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5 nm 阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8 nm,即十个周期的5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N 超晶格插入层使AlxGa1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了AlxGa1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5 nm/8 nm GaN/Al0.3Ga0.7N 超晶格插入层导致AlxGa1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变.
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关键词热度
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文献信息
篇名 蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 AlxGa1-xN 超晶格 应变 线位错密度
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 701-706
页数 6页 分类号 O474
字数 4642字 语种 中文
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AlxGa1-xN
超晶格
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研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
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7
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29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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