乙醇溶液中电沉积CuInSe2(CIS)薄膜过程研究

• 作者: 杜晶晶 邹正光 龙飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电沉积 CIS薄膜 电流密度 沉积电压
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1476-1483
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 3562字
• 语种: 中文

摘要

采用三电极体系,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料,在无水乙醇溶液中,用阴极恒流和恒压两种沉积方法制备出CIS前驱体薄膜,采用XRD和EDAX对制备的薄膜进行了表征,分析了沉积方式、镀液离子浓度、导电盐(LiCl)含量及热处理工艺等因素对薄膜成分及形貌的影响,并对电沉积CIS薄膜的机理进行了初步探讨.在最优条件下所制备的薄膜成分接近标准比且表面致密、均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	4	36	3.0	4.0
5	邹正光	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	60	837	18.0	26.0
6	杜晶晶	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	3	40	3.0	3.0