单质直接气相生长ZnSe单晶

• 作者: 介万奇 李文渭 李焕勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnSe单晶 一步生长 输运剂
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1051-1055
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2099字
• 语种: 中文

摘要

本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65%～70%,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	李焕勇	西北工业大学材料学院	34	199	6.0	13.0
3	李文渭	西北工业大学材料学院	1	6	1.0	1.0