铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

• 作者: 朱大鹏 罗乐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极氧化 Ta-N薄膜电阻 电学性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 774-779
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 5011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.031

摘要

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗乐	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	42	263	9.0	14.0
2	朱大鹏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	7	2.0	2.0