用于制备高机械可靠性RF MEMS开关的新型工艺

• 作者: 侯智昊 刘泽文 李志坚 胡光伟
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS开关 接触式开关 机械可靠性 侧向钻蚀 寿命
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 1213-1217
• 页数: 5页
• 分类号: TN385|TN62|TN305.8
• 字数: 1762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.07.011

摘要

对介质桥串联接触式RF MEMS开关的制备工艺进行了研究.介绍了开关的结构,说明了采用常规制备工艺容易在桥膜上形成应力集中,严重影响开关的机械可靠性.通过改进工艺,提出了一种侧向钻蚀刻蚀介质桥膜下金属的方法,获得了平坦的介质桥膜.最后,给出了完整的开关制备流程.与常规工艺相比,新工艺避免了应力集中问题,提高了开关的机械可靠性,成品率从10%提高到了95%,工作寿命从1 000次提高到了2.5×107次.此外,在23.3 V的驱动电压下,开关插入损耗＜0.55 dB＠DC-10 GHz,隔离度＞53.2 dB＠DC-10 GHz.结果表明该工艺可满足无线通讯对MEMS开关成品率、寿命和微波性能的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯智昊	清华大学微电子学研究所	6	16	3.0	4.0
2	刘泽文	清华大学微电子学研究所	50	169	7.0	10.0
3	胡光伟	清华大学微电子学研究所	5	16	3.0	4.0
4	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0