射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性

• 作者: 傅竹西 姚然 苏剑峰 钟泽
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 射频辅助 N离化 N-Al共掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 299-303
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2209字
• 语种: 中文

摘要

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究.通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比.实验结果表明, N掺杂的浓度高达1020 cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	姚然	中国科学技术大学物理系	10	44	4.0	6.0
3	苏剑峰	中国科学技术大学物理系	5	14	2.0	3.0
4	钟泽	中国科学技术大学物理系	3	12	2.0	3.0