超导HEB的I-V特性模拟

• 作者: 吴培亨 康琳 范翠 许伟伟 金飚兵 陈健
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 超导热电子测热辐射仪(HEB) 双温模型 I-V特性 太赫兹检测
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 2040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2008.10.007

摘要

超导热电子测热辐射仪(Superconducting Hot-electron Bolometer,HEB)是一种检测器件,可以对1THz以上的电磁辐射进行高灵敏度的检测.该工作是利用双温模型,假设电子和声子各自处在平衡态,但具有不同的温度,根据热平衡原理,计算出电子和声子温度在HEB桥上的分布,得到桥两端的电压值,从而得出器件的I-V特性.分析了实验环境温度,转变宽度和薄膜厚度对器件I-V的要求,并与实验测量的结果相比较,为进一步研究超导HEB的混频特性打下基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许伟伟	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	69	148	6.0	9.0
2	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
3	康琳	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	陈健	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	73	202	7.0	11.0
5	金飚兵	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	19	94	6.0	9.0
6	范翠	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	1	3	1.0	1.0