200 mm高阻厚层Si外延技术研究

• 作者: 袁肇耿 魏毓峰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 高阻厚层 自掺杂 均匀性
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 391-393,449
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.007

摘要

针对国内市场对200mm Si外延产品需求持续增长,其中高阻厚层产品需求量最大的情况,研制开发了200 mm高阻厚层Si外延片,解决了规模生产中工艺参数控制的稳定性、均匀性和一致性.介绍了一种实用工艺方法,即在常压外延设备上,对200 mm高阻厚层Si外延片的生长进行工艺开发,考虑了该产品生产过程中影响工艺参数的主要因素,在产品结晶质量、自掺杂控制、均匀性控制、背面控制等方面进行了专题研究,得到了良好结果,已应用于规模生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁肇耿		8	36	4.0	6.0
2	魏毓峰		1	8	1.0	1.0