用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制

• 作者: 刘丰珍 周玉琴 朱美芳 訾威
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜 生长机制 标度理论 蒙特卡罗方法 再发射模型
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1465-1468
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.009

摘要

使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈O.67,粗糙度因子为α≈O.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丰珍	中国科学院研究生院物理科学学院	17	105	4.0	10.0
2	朱美芳	中国科学院研究生院物理科学学院	11	98	4.0	9.0
3	周玉琴	中国科学院研究生院物理科学学院	11	46	4.0	6.0
4	訾威	中国科学院研究生院物理科学学院	3	1	1.0	1.0