V2O5掺杂MgTiO3-CaTiO3陶瓷的介电性能

• 作者: 丁士华 宋天秀 张东 杨秀玲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 MgTiO3-CaTiO3陶瓷 V2O5掺杂 介电性能
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TG146
• 字数: 1673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.10.010

摘要

采用固相反应法制备了V2O5掺杂的MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷.研究了V2O5掺杂量对陶瓷晶相组成、烧结温度和介电性能的影响.结果表明:V2O5掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,当掺杂量较低时,有第二相CaVO3产生;V2O5掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度并使其介电性能得到改善.当x(V2O5)为1%时,在1 250 ℃烧结2.5 h获得最佳性能:εr 为20.17, tan δ为2×10-3, αε为4.9×10-5/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
2	宋天秀	西华大学材料科学与工程学院	88	200	7.0	10.0
3	杨秀玲	西华大学材料科学与工程学院	23	62	5.0	6.0
4	张东	西华大学材料科学与工程学院	19	44	4.0	5.0