水热法制备Ge/SiOx纳米电缆

• 作者: 唐元洪 李晓川 林良武 袁媛 谭艳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米电缆 锗 硅 水热法 表征
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1027-1029
• 页数: 3页
• 分类号: TB321
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.06.042

摘要

以混合的氧化锗粉和硅粉为原料,采用水热法在高温高压下制备出具有核-壳同轴结构的Ge/SiOx纳米电缆.扫描和透射电镜研究表明这种Ge/SiOx纳米同轴电缆的产量高,直径分布均匀,长度可达微米级,并证实其为非晶态SiOx包裹Ge内核的核-壳结构.Ge芯线沿着[211]方向生长.Ge/SiOx纳米同轴电缆的生长过程遵循气-液-固和氧化物辅助生长机制,与原料中GeO2与Si的比率有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
2	袁媛	湖南大学材料科学与工程学院	9	115	4.0	9.0
3	林良武	湖南大学材料科学与工程学院	17	61	4.0	6.0
4	李晓川	湖南大学材料科学与工程学院	4	17	3.0	4.0
5	谭艳	湖南大学材料科学与工程学院	4	25	2.0	4.0