环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 张恒生 王英龙 褚立志
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 纳米Si晶粒 平均尺寸 环境气体
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: "2008第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会"论文专辑
• 页码范围: 247-250
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.062

摘要

采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
3	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
5	张恒生	河北大学物理科学与技术学院	1	5	1.0	1.0