钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘键 和致经 李诚瞻 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMTs 钝化 表面预处理 初始氧化层
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 329-333
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.026

摘要

提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
5	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
6	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
7	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0