场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 电势 电化学势 边界条件
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 613-619
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.001

摘要

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0