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摘要:
详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结合的方法提取了模型参数,以保证模型在很宽频带范围内具有较高精度.最后,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了两个具有不同几何参数的巴伦,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了S参数.测量结果表明在高达毫米波频段范围内,模型仿真结果与测试结果符合得很好.
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文献信息
篇名 毫米波频段宽带CMOS片上巴伦的分析与建模
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 建模 毫米波 CMOS
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 467-472
页数 6页 分类号 TN432
字数 1184字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李伟 东南大学射频与光电集成电路研究所 135 939 14.0 23.0
2 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
3 夏峻 东南大学射频与光电集成电路研究所 4 10 2.0 3.0
4 吴秀山 中国计量学院机电工程学院 29 106 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
建模
毫米波
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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