基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析

• 作者: 余长亮 宋瑞良 毛陆虹 郭维廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基栅共振隧穿三极管 器件模拟 耗尽区
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1062-1065
• 页数: 4页
• 分类号: TN313.2
• 字数: 279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.009

摘要

通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT).根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地, 集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压会主要影响峰值电压,其原因是栅极电压和发射极、集电极的电场分布将会改变耗尽区的分布.实验测试结果对这种现象也予以证实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	余长亮	天津大学电子信息工程学院	9	19	3.0	4.0
4	宋瑞良	天津大学电子信息工程学院	15	43	4.0	5.0