钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光

• 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王悦湖 王超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 钒掺杂 受主能级
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 240-243
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.010

摘要

借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺人的钒在4H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eVt处,其电子俘获截面分别为7.0 × 10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.6eV处.结果表明,在n型4H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	424	12.0	19.0
4	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	10	20	2.0	4.0
5	徐大庆	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0