P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究

• 作者: 喻振兴 宋晓岚 张晓伟 徐大余 邱冠周
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: P型单晶硅片 腐蚀行为 极化曲线 缝隙腐蚀
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: "2008第七届中国国际纳米科技(武汉)研讨会"论文专辑
• 页码范围: 126-131
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.033

摘要

采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大;随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著;硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋晓岚	中南大学资源加工与生物工程学院	75	1681	20.0	39.0
2	邱冠周	中南大学资源加工与生物工程学院	335	5466	36.0	53.0
3	徐大余	中南大学资源加工与生物工程学院	5	78	5.0	5.0
4	张晓伟	中南大学资源加工与生物工程学院	3	46	3.0	3.0
5	喻振兴	中南大学资源加工与生物工程学院	2	8	2.0	2.0