高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

• 作者: 刘英坤 崔现锋 张鸿亮 李明月 潘茹 胡顺欣 邓建国 马红梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 477-479
• 页数: 3页
• 分类号: TN325.2
• 字数: 2392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.06.005

摘要

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在f0为3.1～3.4 GHz、Vcc=32 V、Pw=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性.