碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象

• 作者: 刘新宇 刘键 和致经 庞磊 曾轩 李诚瞻 王冬冬 郑英奎 黄俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌 碳杂质 深能级
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1066-1069
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 751字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.010

摘要

AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个因素.两个AlGaN/GaN样片被分别放在纯氮气和掺碳的氮气气氛中快速退火,利用XPS证明了后者中的碳元素含量远远大于前者.比较二者的I-V特性曲线,可发现碳杂质的引入可使AlGaN/GaN HEMT电流崩塌程度大大增加.分析表明:由碳杂质引入导致的深能级使得负栅压下俘获沟道中的载流子在正栅压下不能立刻释放,从而引起AlGaN/GaN HEMT中的电流崩塌现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
5	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
6	庞磊	中国科学院微电子研究所	4	13	2.0	3.0
7	黄俊	中国科学院微电子研究所	19	76	5.0	8.0
8	王冬冬	中国科学院微电子研究所	7	11	2.0	3.0
9	曾轩	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0