MgZnO/ZnO p-n异质结的制备与特性

• 作者: 张宝林 张源涛 李香萍 杜国同 董鑫 赵旺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 氧化锌 镁锌氧合金 异质结 电致发光光谱
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1338-1341
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.021

摘要

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/Zn0的p-n异质结,并研究了其I-V特性:开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与P型MgxZn1-xO层的电阻率、迁移率和载流子浓度.ZnO层的电阻率很小,载流子浓度很大;而Mgxzn1-xO层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较ZnO层小了一个数量级.通过对其n型与P型层的光致发光(PL)谱的测试发现,ZnO层与Mgxzn1-xO层分别在382和370nm处存在着由自由激子复合而导致的紫外发光峰,为近带边发光.MgxZn1-xO的紫外峰明显弱于ZnO样品的,这是由于MgZnO合金中易形成分相所造成的,所以现阶段其晶体质量还不能与ZnO的相比.另外,两样品在480nm附近都存在着比较弱的深能级发光峰,这是晶体的本征缺陷或其他杂质的引入造成的,并对样品进行了X射线衍射(XRD)谱与电致发光(EL)谱等测试与分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董鑫	大连理工大学物理与光电工程学院	7	23	3.0	4.0
2	张宝林	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
3	李香萍	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	4	18	3.0	4.0
4	赵旺	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	2	8	2.0	2.0
5	张源涛	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	13	21	3.0	4.0