4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 王悦湖 车勇 陈亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 深能级陷阱 频率偏移
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 2871-2874
• 页数: 4页
• 分类号: O57
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.039

摘要

针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	车勇	武警工程学院军械运输系	8	6	2.0	2.0
4	陈亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	25	120	6.0	9.0
5	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	18	88	5.0	9.0
6	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	10	20	2.0	4.0