陷阱电荷对GMLM工作电压的影响

• 作者: 孙吉勇 张智海 张洁 朱永 黄尚廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光栅 陷阱电荷 工作电压
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1377-1382
• 页数: 6页
• 分类号: O436.1
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.031

摘要

光栅平动式光调制器(GMLM)依靠可动光栅在静电力作用下向下反射镜移动,从而改变光程差,实现光调制.结构中siO2绝缘层在外加电场作用下产生陷阱电荷,对器件的驱动特性产生影响.作者依据高斯定理,建立GMLM存在陷阱电荷情况下的电力学模型,分析了外加电场作用下,GMLM极板电荷的分布,以及外加电压与可动光栅位移的关系;比较了两种情况下(考虑与不考虑绝缘层陷阱电荷影响)工作电压变化情况.设计了实验方案,进行了实验研究.结果表明:由于陷阱电荷产生陷阱电压,使得产生相同位移需要的工作电压增加;充电时间越长,陷阱电荷产生的陷阱电压越大;实验结果与理论分析吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张洁	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	77	522	12.0	19.0
2	朱永	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	112	1521	21.0	34.0
3	黄尚廉	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	164	3610	34.0	51.0
4	张智海	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	38	198	9.0	12.0
5	孙吉勇	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	14	169	6.0	13.0