退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响

• 作者: 孙硕 张福甲 王成龙 范多旺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si薄膜 退火 晶化 AIC
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1544-1547
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.025

摘要

以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
2	范多旺		112	683	14.0	20.0
4	王成龙		26	88	5.0	8.0
6	孙硕	兰州大学物理科学与技术学院	9	17	3.0	3.0