一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源

• 作者: 叶以正 周前能 喻明艳 李红娟 王永生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS带隙基准 电流源 电源抑制比 预调整器
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1517-1522
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 1544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.020

摘要

提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad和静电保护电路)为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与lkHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0～85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4～4V范围内变化时,带隙基准输出电压的变化不超过2mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	喻明艳	哈尔滨工业大学微电子中心	62	272	9.0	12.0
2	叶以正	哈尔滨工业大学微电子中心	67	544	14.0	21.0
3	王永生	哈尔滨工业大学微电子中心	17	92	5.0	9.0
4	周前能	哈尔滨工业大学微电子中心	3	7	2.0	2.0
5	李红娟	吉林化工学院信控学院	1	3	1.0	1.0