MOSFET抗辐照能力预测方法

• 作者: 刘江 包军林 庄奕琪 彭绍泉 杜磊 苏亚慧
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 MOSFET 辐照 预测
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1360-1364
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 4298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.027

摘要

基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移的情况.模型模拟结果与实际测量结果符合良好,验证了预测模型的正确性,并为工程应用提供MOSFET抗辐照能力预测方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
4	彭绍泉	西安电子科技大学技术物理学院	1	3	1.0	1.0
5	刘江	西安电子科技大学技术物理学院	2	4	1.0	2.0
6	苏亚慧	西安电子科技大学技术物理学院	2	5	2.0	2.0