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摘要:
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜晶体管.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 氧化锌 薄膜晶体管 MOCVD
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 液晶和其它非自发光显显示器
研究方向 页码范围 115-116
页数 2页 分类号 TN304.055|TN335
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.027
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研究主题发展历程
节点文献
氧化锌
薄膜晶体管
MOCVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
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