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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
作者:
刘肃
李思渊
李海蓉
杨涛
王永顺
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
摘要:
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管.使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性.使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题.给出了详细的工艺流程.
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文献信息
篇名
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
年,卷(期)
2008,(1)
所属期刊栏目
器件制造与应用
研究方向
页码范围
65-67
页数
3页
分类号
TN386.3
字数
2506字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王永顺
兰州交通大学电子与信息工程学院
35
128
7.0
9.0
2
杨涛
1
1
1.0
1.0
3
刘肃
1
1
1.0
1.0
4
李思渊
1
1
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5
李海蓉
1
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二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
静电感应晶体管
V形槽
等离子体增强化学气相淀积
肖特基势垒
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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