SEU加固存储单元中的多节点翻转

• 作者: 刘必慰 郝跃 陈书明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多节点翻转 加固单元 电荷收集
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 244-250
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.011

摘要

使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU(multiple bit upset),发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	郝跃		312	1866	17.0	25.0
3	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0