用脉冲激光沉积技术制备与分析嵌入非晶SiO2中的锗纳米粒子

• 作者: 吴闰生 王伟
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: 脉冲激光沉积系统 纳米粒子 薄膜材料 XRD
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 实用技术
• 页码范围: 777-780
• 页数: 4页
• 分类号: TN241
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2008.05.031

摘要

介绍了Ge纳米粒子的特性,及利用脉冲激光沉积系统(PLD)制备Ge纳米粒子嵌入非晶SiO2薄膜中的方法、理论依据和工艺条件及结果.X射线衍射及晶体分析软件确定了锗纳米粒子在600℃中退火时的晶格常数变小而衍射强度增加,其晶格常数减小可能是由于锗的周围氧化生成氧化锗壳层包围并挤压Ge纳米粒子所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟	江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室	17	46	4.0	6.0
2	吴闰生	江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室	1	1	1.0	1.0