基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件

• 作者: 刘明 商立伟 姬濯宇 涂德钰 王丛舜 胡文平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机电子学 双稳态开关 交叉存储器
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TN605
• 字数: 990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.010

摘要

采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工及新器件集成研究室	207	1983	20.0	38.0
2	胡文平		28	237	9.0	15.0
5	商立伟	中国科学院微电子研究所纳米加工及新器件集成研究室	3	5	1.0	2.0
6	涂德钰	中国科学院微电子研究所纳米加工及新器件集成研究室	4	7	2.0	2.0
7	王丛舜	中国科学院微电子研究所纳米加工及新器件集成研究室	2	7	2.0	2.0
8	姬濯宇		1	5	1.0	1.0