一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源

• 作者: 幸新鹏 李冬梅 王志华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.005

摘要

介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	王志华	清华大学微电子研究所	183	1964	21.0	36.0
3	幸新鹏	清华大学微电子研究所	4	131	3.0	4.0