Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

• 作者: 严志军 严立 程东
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu/Ni多层膜 分子动力学模拟 失配位错 镜像力
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 页码范围: 1461-1464
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.1
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.12.010

摘要

运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严志军	大连海事大学轮机工程学院	81	532	11.0	17.0
2	程东	大连海事大学轮机工程学院	53	357	10.0	15.0
3	严立	大连海事大学金属工艺研究所	75	645	13.0	20.0