AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器

• 作者: 冉军学 冯春 杨翠柏 王保柱 王军喜 王新华 王晓亮 肖红领
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 气体传感器 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.029

摘要

通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	王新华	中国科学院半导体研究所	40	1076	16.0	32.0
3	冯春	中国科学院半导体研究所	57	423	12.0	18.0
4	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
5	肖红领	中国科学院半导体研究所	7	26	3.0	5.0
6	冉军学	中国科学院半导体研究所	7	32	3.0	5.0
7	王保柱	中国科学院半导体研究所	3	23	3.0	3.0
8	杨翠柏	中国科学院半导体研究所	1	14	1.0	1.0