电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

• 作者: 何玉娟 刘洁 周继承 孔学东 师谦 恩云飞 林丽 罗宏伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 SOI MOSFETs 部分耗尽 kink效应 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.028

摘要

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.