Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

• 作者: 周国定 徐群杰 曹为民 朱律均 齐航
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu 光电化学 腐蚀 缓蚀剂 聚天冬氨酸
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 页码范围: 1360-1365
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.4
• 字数: 5013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.11.014

摘要

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为P型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但小会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用;当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为P型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐群杰	上海电力学院能源与环境工程学院	87	689	15.0	22.0
2	朱律均	上海电力学院能源与环境工程学院	3	64	3.0	3.0
6	齐航	上海电力学院能源与环境工程学院	3	28	2.0	3.0
7	曹为民	上海大学理学院化学系	36	349	12.0	17.0
8	周国定	上海电力学院能源与环境工程学院	97	1428	22.0	32.0