ThSiO4:V4+晶体的光谱及EPR参量的理论研究

• 作者: 黄永平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体场理论 电子顺磁共振参量 缺陷结构 ThSiO4 V4+晶体
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1145-1147
• 页数: 3页
• 分类号: O737
• 字数: 1704字
• 语种: 中文

摘要

基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永平	宜宾学院物理与电子工程系	10	37	3.0	6.0