基于0.18 μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计

• 作者: 周玉洁 张俊波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 射频互补型金属氧化物晶体管 相位噪声 金属氧化物晶体管可变电容
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 356-359
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.022

摘要

介绍了一种低功耗、低相噪和超宽频率覆盖范围的全差分电感电容结构的压控振荡器(VCO)设计.采用开关控制的二进制MIM电容阵列对频率进行粗调,再结合MOS可变电容进行微调,实现了极大的频率覆盖范围.流片采用TSMC的0.18μm、5层金属RF CMOS工艺,所用无源器件全部片内集成.在1.8 V电源供电情况下,该VCO仅仅消耗3 mA的电流.测试结果表明,该VCO能够覆盖1.65～2.45 GHz的频率范围,并且增益控制在100 MHz/V以下.在1.65 GHz频率下20 kHz频偏处的相位噪声仅-87.88 dBc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张俊波	上海交通大学电子工程系	1	3	1.0	1.0
2	周玉洁	上海交通大学电子工程系	37	309	10.0	15.0