一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计

• 作者: 张翀 杨海钢 魏金宝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高精度 自调零 运算放大器 ISFET微传感器
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 686-692
• 页数: 7页
• 分类号: TP212
• 字数: 752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.015

摘要

介绍了一种适用于ISFET读出的高精度CMOS运放设计.该运放可为ISFET提供恒定电流、电压偏置,从而便于构建读出电路并于微传感器单片集成.通过运用连续时间自调零技术,大大降低了运放的失调电压、1/f,噪声和温漂等低频噪声.该设计基于0.35/μm CMOS工艺,电源电压3.3V,运放的开环增益超过100dB,输入等效失调电压低至11/μV,总功耗仅为1.48mW.应用该运放实现的pH微传感器已通过实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨海钢	中国科学院电子学研究所	134	485	10.0	15.0
2	张翀	中国科学院电子学研究所	7	64	4.0	7.0
6	魏金宝	中国科学院电子学研究所	5	21	3.0	4.0